新产品

UG （F ， B） 8HCT & UG （F ， B） 8JCT

威世通用半导体

额定值和特性曲线

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

12

10 000

正向平均整流电流（ A）

10

UG8JCT ， UGB8JCT

8

瞬时反向电流（ μA ）

1000

T

J

= 125 °C

6

UGF8JCT

4

100

T

J

= 100 °C

10

T

J

= 25 °C

2

P.C.B.

同

7.5× 7.5× 0.3厘米

铜焊盘

0

25

50

75

100

125

150

0

1

0

20

40

60

80

100

外壳温度（ ° C）

百分比额定峰值反向

电压

(%)

图1.最大正向电流降额曲线

图4.典型的反向漏电特性每二极管

100

100

峰值正向浪涌电流（ A）

80

60

结电容（pF ）

10

40

20

T

J

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50 MVP -P

1

1

10

100

0

1

10

100

数

环，在60赫兹的

反向

电压

(V)

图2.最大非重复峰值正向浪涌

目前每二极管

图5.典型结电容每二极管

存储电荷/反向恢复时间

（ NC / NS ）

100

140

120

100

80

50 A / μs的

60

40

240 A / μs的

20

0

25

50

75

100

125

150

50 A / μs的

60 A / μs的

Q

rr

T

rr

I

F

= 4 A

V

R

= 30

V

的di / dt =

240 A / μs的

正向电流（A ）

10

60 A / μs的

1

0.1

T

J

= 25 °C以下。

脉冲

宽度

= 300

s

1

%

占空比

0.01

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

正向

电压

(V)

结温（ ° C）

图3.典型正向特性每二极管

图6.反向开关特性每二极管

文档编号： 88766

修订： 09- NOV- 07

您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：

PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

3