IRF540
典型电气特性
VDS = 0 V
西塞
TJ = 25°C
VGS = 0 V
VDS ，漏极至源极电压（伏）
150
VGS ，栅极至源极电压（伏）
4500
4000
3500
C，电容（pF ）
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
–10
–5
0
科斯
CRSS
VGS
VDS
5
10
15
20
25
西塞
CRSS
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
Q3
10
VDS
30
35
15
20
25
QG ，总栅极电荷（ NC）
40
45
50
TJ = 25°C
ID = 27一
Q1
Q2
QT
VGS
80
72
64
56
48
40
32
24
16
8
0
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
1000
IS ，源电流（安培）
TJ = 25°C
ID = 15 A
VDD = 30 V
VGS = 10 V
tr
tf
10
TD （关闭）
TD （上）
30
25
20
15
10
5
0
1.0
10
RG ，栅极电阻（欧姆）
100
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
TJ = 25°C
VGS = 0 V
100
T， TIME （ NS ）
1.0
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0.95
VSD ，源 - 漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与
当前
1000
EAS ，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
VGS = 20 V
单脉冲
TC = 25°C
100
RDS （ ON）限制
热限制
套餐限制
10
m
s
400
350
300
250
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
TJ ，起动结温（ ° C）
ID = 27一
ID ，漏极电流（ AMPS ）
10
100
m
s
1.0毫秒
10毫秒
1.0
0.1
1.0
10
dc
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（伏）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量对比
开始结温
4
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
