PIC16HV540
7.5
器件复位定时器（ DRT ）
7.6
欠压检测（ BOD ）
在PIC16HV540 ，器件复位定时器（ DRT ）
运行在设备上电时的任何时间。 DRT从运行
复位和变化的基础上振荡器选择（见
表7-5 ） 。
该DRT提供了一个固定的18 ms的标称时间出来
复位。 DRT使用内部RC振荡器。
只要DRT是处理器保持在复位
活跃的。 DRT延时使VDD上升到高于VDD
分，并使振荡器达到稳定。
基于晶振或陶瓷谐振振荡器电路
器需要在上电后在一定的时间来建立
稳定的振荡。片上DRT器件保持在
复位状态后，约18毫秒
电压对MCLR / V
PP
引脚达到逻辑高
(V
IH
）的水平。因此，外部RC网络连接
MCLR输入不需要在大多数情况下，允许 -
荷兰国际集团为节省成本敏感和/或空间受限
应用程序。
该器件复位延迟时间将从各不相同的芯片到芯片
由于V
DD
，温度和工艺变化。看
AC参数的详细信息。
该DRT也将在看门狗定时器触发
超时， MCLR复位，唤醒从休眠模式引脚
变化和欠压复位。当外部RC
振荡器模式时，所有的DRT时期，后
初始上电复位，为1毫秒（典型值） 。
在PIC16HV540具有片上欠压检测税务局局长
cuitry 。如果启用，如果内部电源，V
REG ，
瀑布
参数B以下
VDD
（见第10.1节） ，更大的
时间比参数T
BOD
（见表10-3 ）的欠压
条件将复位芯片。复位不是瓜拉尼
如果V开球
REG
低于B
VDD
比参的时间少
ETER （T
BOD
).
上电复位（掉电检测，看门狗， MCLR和唤醒
在引脚电平变化） ，该芯片将保持在复位状态，直到V
REG
高于B
VDD
。一旦B
VDD
阈值已
遇见了DRT将被激活，将保持芯片
在复位的附加18MS （ LP ， XT和HS振荡器
模式）或1毫秒的EXTRC 。
如果V
REG
低于B
VDD
而DRT运行时，
芯片将重新回到欠压复位和DRT
将被重新初始化。一旦V
REG
上升的B以上
VDD
,
从DRT将执行指定的时间段。
图7-11显示了典型的欠压情况。
在欠压检测电路可以被禁用或
通过设置OPTION2的BODEN位启用
SFR 。在欠压检测是在所有电源 - 禁用
上电复位（ POR ） 。
7.6.1
实现片内BOD
电路
表7-5 ：
振荡器
CON组fi guration
EXTRC
LP ， XT & HS
DRT （器件复位定时器
期）
上电复位
18毫秒（典型值）
18毫秒（典型值）
随后
复位
1毫秒（典型值）
18毫秒（典型值）
在PIC16HV540 BOD电路不同于“ conven-
tional “掉电检测电路中的BOD税务局局长
cuitry上PIC16HV540不直接检测
在外部V“骤降”
DD
电源电压而是
内部V
REG
。 BOD的电路的功能
保证了程序的执行将停止和复位
国家将内部逻辑进入前
成为损坏。 BOD电路有两个选择 -
能够电压设置，标称5V和3V 。每个稳压
LATION电压设定与其相关的最小和
最大B
VDD
参数都有一个预期的操作
必须仔细考虑tional模式。
对于5V V
REG
设置，最小乙
VDD
参数
为2.7V
.
这个最小B
VDD
电压是部分下方
V
DD
最低要求。此操作设置
主要打算用于当PIC16HV540是
在4MHz和V操作
DD
> 5.5V 。
对于3V V
REG
设置，最小乙
VDD
参数
为1.8V 。这个最小B
VDD
电压是部分下方
V
DD
最低要求。此操作设置
主要打算用于当PIC16HV540是在
SLEEP。 RAM保持由1.8V保护之旅
的水平。
对于监管和欠压电路作为
拟施加V
DD
名义上是0.5V大于
调节电压设置。
最后，如果内部欠压电路被认为不
满足系统设计要求，那么外部
欠压保护电路，可能需要。微芯片
提供的电压监控器产品的完整系列
可满足大多数设计要求。
DS40197B第38页
初步
2000 Microchip的技术公司
