数据表
砷化镓集成电路
PG2012TK
L波段单刀双掷开关
描述
该
PG2012TK是GaAs MMIC为L波段SPDT （单刀双掷）开关，用于进行开发
手机与另一个L波段应用。
此装置可从0.5 GHz的操作频率至2.5千兆赫，具有低插入损耗和高隔离度。
该器件采用6引脚无铅少minimold包（ 1511 ） 。这包是能够高密度
表面安装。
特点
电源电压
开关控制电压
低插入损耗
: V
DD
= 2.7 3.0 V（ 2.8 V TYP 。 ）
: V
续（H ）
= 2.7 3.0 V（ 2.8 V TYP 。 ）
: V
CONT （ L）
=
0.2
到+0.2 V（ 0 V TYP 。 ）
: L
INS1
= 0.27 dB典型值。 @ F = 0.5 1.0千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V/0 V
: L
INS2
= 0.30 dB典型值。 @ F = 2.0千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V/0 V
: L
INS3
= 0.30 dB典型值。 @ F = 2.5千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V / 0 V （参考
值）
高隔离
： ISL1 = 30 dB典型值。 @ F = 0.5 2.0千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V/0 V
： ISL2 = 30 dB典型值。 @ F = 2.5千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V / 0 V （参考
值）
高密度表面贴装
： 6针引线少minimold包（1.5
×
1.1
×
0.55 mm)
应用
L波段数字蜂窝或无绳电话
PCS ， W- LAN ， WLL和蓝牙
TM
等等
订购信息
产品型号
包
6引脚无铅减Minimold
(1511)
记号
G3H
供给方式
压纹带8mm宽
销1,6面带的穿孔侧
数量5千件/卷
PG2012TK-E2
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号：
PG2012TK
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
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不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC化合物半导体器件检查
代表性的产品供应及其他信息。
一号文件PG10219EJ02V0DS （第2版）
发布日期2004年6月CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
NEC化合物半导体器件，公司2002年， 2004年
