MURS320

威世通用半导体

100

1000

T

J

= 175 °C

T

J

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50 MVP -P

正向电流（A ）

10

T

J

= 100 °C

1

T

J

= 25 °C

结电容（pF ）

1.4

1.6

100

0.1

0.01

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

10

0.1

1

10

100

正向

电压

(V)

反向

电压

(V)

图3.典型正向电压

图5.典型结电容

1000

瞬时反向电流（ μA ）

T

J

= 175 °C

100

10

T

J

= 100 °C

1

0.1

T

J

= 25 °C

0.01

0.001

0

20

40

60

80

100

百分比额定峰值反向

电压

(%)

图4.典型的反向漏电特性

包装外形尺寸

以英寸（毫米）

DO- 214AB （ SMC）的

阴极带

贴装焊盘布局

0.185 （ 4.69 ）最大。

0.126 (3.20)

0.114 (2.90)

0.246 (6.22)

0.220 (5.59)

0.126 （ 3.20 ）最低。

0.280 (7.11)

0.260 (6.60)

0.012 (0.305)

0.006 (0.152)

0.103 (2.62)

0.079 (2.06)

0.060 (1.52)

0.030 (0.76)

0.008 (0.2)

0 (0)

0.320 (8.13)

0.305 (7.75)

0.060 （ 1.52 ）最低。

0.320 REF 。

文档编号： 88689

修订： 27 - 8 - 07

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