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APTGF150DH120
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
225
IC ，集电极电流（ A）
IC ，集电极电流（ A）
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
1
2
3
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
传输特性
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
输出特性（Ⅴ
GE
=10V)
175
150
125
100
75
50
25
0
4
0
1
2
3
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
栅极电荷
I
C
= 150A
T
J
= 25°C
V
CE
=600V
4
T
J
=125°
C
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
T
J
=25°
C
T
J
=25°
C
T
J
=125°
C
250
200
150
100
50
0
4
V
GE
，门到发射极电压（ V）
300
IC ，集电极电流（ A）
20
16
12
8
4
0
0
250
V
CE
=800V
6
8
10
V
GE
，门到发射极电压（ V）
12
500
750
1000
栅极电荷（ NC）
1250
1000
开关时间VS集电极电流
tdoff
V
CE
= 600V
V
GE
=±15V
R
G
=5
T
J
= 125°C
100
C，电容（ NF）
电容VS集电极到发射极电压
时间（纳秒）
10
资本投资者入境计划
100
Tdon
tf
卓越中心
1
CRES
0.1
tr
10
0
50
100
150
IC ，集电极电流（ A）
200
0
5
10
15
20
25
30
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
集电极直流电流与外壳温度
200
IC ， DC集电极电流（ A）
175
150
125
开关损耗VS栅极电阻
60
开关损耗（兆焦耳）
50
40
30
20
10
0
0
V
CE
= 600V
V
GE
=±15V
I
C
=150A
T
J
= 125°C
宙
EOFF
75
50
25
0
0
25
50
75
100 125
T
C
，外壳温度（ °
C)
150
4
8 12 16 20 24
栅极电阻（欧姆）
28
32
APT网站 - http://www.advancedpower.com
4-5
APTGF150DH120 - 修订版2004年3月1日
100
