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APT50DF170HJ
典型性能曲线
二极管的正向特性
100
80
60
40
20
0
0
0.5
1
1.5
V
F
(V)
2
2.5
3
T
J
=125°C
T
J
=125°C
T
J
=25°C
能量损失VS集电极电流
20
15
ERR （兆焦耳）
I
F
(A)
10
V
CE
= 900V
V
GE
= - 15V
T
J
= 125°C
5
0
0
20
40
I
F
(A)
60
80
100
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.8
热阻抗（ ℃/ W）
二极管
0.9
0.6
0.7
0.4
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0
0.00001
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
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Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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APT50DF170HJ - 牧师0 2009年11月
