Si4966DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
V
GS
= 5通3 V
2.5 V
30
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
30
40
传输特性
20
2V
10
20
T
C
= 125_C
10
25_C
1, 1.5 V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0
0.5
1.0
1.5
–55_C
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.10
4000
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.08
- 电容（pF ）
3200
C
国际空间站
2400
0.06
0.04
V
GS
= 2.5 V
0.02
V
GS
= 4.5 V
1600
C
OSS
800
C
RSS
0
0
10
20
I
D
- 漏极电流（ A）
30
40
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 7.1 A
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 7.1 A
3
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
0
5
10
15
20
25
4
1.4
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70718
S- 54939 -REV 。 A， 29 - 09月97
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-3
