半导体
SYNERGY
SY10/100/101474-3
SY10/100/101474-4
SY10/100/101474-5
SY10/100/101474-7
功能说明
该协同SY10 /十万一千四百七十四分之百4096位的RAM
组织为1024字×4位。存储单元的选择
通过使用指定为A的10位地址来实现
0
至A
9
。每个2的
10
可能的输入地址
组合对应于唯一字位置中
内存。有源低片选（CS ）被提供用于
内存扩展。该低电平有效写使能（ WE）
控制所述读出和写入操作。上的数据驻留
D
IN
输入（ DI
0
通过DI
3
）写入到被寻址的
位置只有当我们和CS保持低电平。为了
执行读操作，我们是高举， CS保持低电平
并在被寻址单元的非反相输出数据
转移到D
OUT
（做
0
通过DO
3
）被读出。
提供了最大的灵活性，发射极开路输出
并且通过使输出线或存储器扩展
连接。外部端接50Ω至-2.0V或
等效电路，必须使用以提供指定的
输出电平。
输出被带到一个逻辑低电平时
的RAM正在被写入到（WE =低），或者当该装置
通过低电平有效片选引脚（ CS = HIGH ）被取消。
绝对最大额定值
(1)
符号
V
EE
V
IN
I
OUT
T
C
T
商店
等级
V
EE
销势
到V
CC
针
输入电压
直流输出电流
（输出高）
在偏置温度
储存温度
价值
+0.5至-7.0
0.5到V
EE
–30
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
mA
°C
°C
保证正常工作条件
参数
电源电压
(1)
外壳温度
电源电压
(1)
外壳温度
电源电压
(1)
外壳温度
注意：
1.参考V
CC
.
符号最小值。
10K
V
EE
T
C
100K
V
EE
T
C
101K
V
EE
T
C
–5.46
0
–4.8
0
–5.46
0
典型值。
–5.2
—
–4.5
—
–5.2
—
MAX 。 UNIT
–4.94
75
–4.2
85
–4.94
85
V
°C
V
°C
V
°C
注意：
可能发生1.永久设备损坏，如果绝对最大额定值
被超过。这是一个额定值只和功能的操作不
隐含在高于操作部分详述的其他条件
本数据手册。暴露在绝对最大RATlNG条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
上升和下降时间
参数
输出上升
时间
输出下降
时间
CODE
(1)
符号最小值。典型值。
F
S
F
S
tr
tf
—
—
—
—
500
1500
500
1500
MAX 。 UNIT
—
—
—
—
ps
ps
电容
参数
输入引脚
电容
输出引脚
电容
符号
C
IN
C
OUT
分钟。
—
—
典型值。
4
5
马克斯。
—
—
单位
pF
pF
注意：
1， F =快速边沿速率
S =标准边缘速率
3
