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修订-03 , 14.Jan.'03
三菱的LSI
M5M5V216ATP,RT
2097152 - BIT ( 131072 - WORD 16位) CMOS静态RAM
省电特性
( 1 )电气特性
符号
VCC
参数
范围
测试条件
TY P
最大
单位
V
V
V
(PD)的
掉电电源电压
字节控制输入BC1 & BC2
V
我( BC)
V
我(S)
片选输入端S
Vcc=3.0V
~ +85C
~ +70C
~ +40C
-40 ~ +25C
ICC
(PD)的
掉电
供应C光凭目前
1 )S >为VCC - 0.2V
=
其他输入= 0 Vcc的
2 ) BC1和BC2 >为VCC - 0.2V
=
S< 0.2V ,其他输入= 0 Vcc的
=
2.0
2.0
2.0
-
-
-
-
-
-
1
0.3
24
8
3
1
A
A
A
A
注7 : ICC( PD )的典型参数表示的值
配送中心在3.0V ,而不是100 %测试。
( 2 )时序REQUIREMINTS
符号
参数
掉电成立时间
掉电RECOV红霉素吨IME
范围
测试条件
TY P
最大
单位
ns
ms
t
SU( PD )
t
REC ( PD )
0
5
( 3 )时序图
BC控制模式
VCC
t
SU( PD )
BC1
BC2
2.2V
BC1 , BC2
& GT ;
VCC - 0.2V
=
2.7V
2.7V
t
REC ( PD )
2.2V
注8 :在BC #控制模式,为S #列弗埃尔必须为f ixed在s # > VCC- 0.2V或S # < 0.2V 。
控制模式评析
VCC
t
SU( PD )
2.2V
S
S
& GT ;
VCC - 0.2V
=
2.7V
2.7V
t
REC ( PD )
2.2V
7

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