SPN4546
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=15V,R
L
=15
I
D
≡1.0A,V
根
=10V
R
G
=6
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
=40V,V
GS
=0V
V
DS
=40V,V
GS
=0V
T
J
=85℃
V
DS
= 5V,V
GS
=4.5V
V
GS
= 10V ，我
D
=6.0A
V
GS
=4.5V,I
D
=5.0A
V
GS
=2.5V,I
D
=4.5A
V
DS
=15V,I
D
=6.2A
I
S
=2.3A,V
GS
=0V
40
0.5
1.2
±100
1
5
10
0.040
0.047
0.072
13
0.8
16
3
2.5
15
6
10
40
20
12
20
80
0.048
0.055
0.080
1.2
24
V
nA
uA
A
S
V
V
DS
=15V,V
GS
=10V
I
D
= 2A
nC
nS
2008/11/10
Ver.1
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