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表3.电气特性@ VDD = 1.8 V , T = 25 ℃,除非另有说明。
(1)
参数
电源电压
低功耗模式
39美元CTRL_REG2 : MOD [ 0 ] = 1
EN = 1 , ODR = 1.563赫兹
EN = 1 , ODR = 12.5赫兹
EN = 1 , ODR = 50赫兹
EN = 1 , ODR = 100 Hz的
EN = 1 , ODR = 200赫兹
EN = 1 , ODR = 400 Hz的
普通模式
39美元CTRL_REG2 : MOD [ 0 ] = 0
EN = 1 , ODR = 1.563赫兹
EN = 1 , ODR = 12.5赫兹
EN = 1 , ODR = 50赫兹
EN = 1 , ODR = 100 Hz的
EN = 1 , ODR = 200赫兹
EN = 1 , ODR = 400 Hz的
消耗电流关断模式
电源电流消耗在待机模式
数字高电平输入电压
SCL,SDA , SA0 ,EN
数字低电平输入电压
SCL,SDA , SA0 ,EN
高电平输出电压
INT1 , INT2
低电平输出电压
INT1 , INT2
低电平输出电压
SDA
输出数据速率
信号带宽
从EN = 1的启动时间引导完成
开启时间
(1)
1.时间,以获得从待机模式有效数据有效模式。
I
O
= 500
μA
I
O
= 500
μA
I
O
= 500
μA
EN = 0
EN = 1和FS [1: 0] = 00
I
dd
SDN
I
dd
STBY
VIH
VIL
VOH
VOL
二卷
ODR
BW
BT
0.9*ODR
ODR
ODR/2
1.55
3/ODR
0.9*VDD
0.1*VDD
0.1*VDD
1.1*ODR
0.75*VDD
0.3*VDD
I
dd
I
dd
LP
测试条件
符号
VDD
1.71
典型值
1.8
27
27
27
42
72
120
42
42
42
72
132
225
<1
3
μA
μA
V
V
V
V
V
Hz
Hz
ms
s
μA
μA
最大
1.89
单位
V
2.2
电气特性
MMA8450Q
9
传感器
飞思卡尔半导体公司

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