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电气特性
特征
反向击穿电压(注3 )
正向电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR )R
V
F
85
典型值
最大
0.715
0.855
1.0
1.25
2.0
100
60
30
4.0
单位
V
V
mA
mA
mA
nA
pF
ns
测试条件
I
R
= 100毫安
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 150毫安
V
R
= 75V
V
R
= 75V ,T
j
= 150°C
V
R
= 25V ,T
j
= 150°C
V
R
= 25V
V
R
= 0 , F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 10毫安,
I
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100W
泄漏电流(注3)
总电容
反向恢复时间
注意事项:
3.短持续时间的测试脉冲,以尽量减少自热效应。
I
R
C
T
t
rr
1.5
250
200
单二极管装
I
F
,正向电流(A)
300
1
I
F
,正向电流(mA )
0.1
T
A
= 150C
T
A
= 75C
T
A
= 25C
T
A
= 0C
T
A
= -40C
150
100
双二极管装
0.01
50
0
0
50
100
150
200
0.001
0
0.5
1.0
1.5
V
F
,正向电压( V)
图。 2正向特性
I
R
,瞬时反向电流( NA)
10000
T
A
= 150C
T
A
= 125C
2.0
1.8
F = 1.0MHz的
C
T
,总电容(PF )
1000
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
100
T
A
= 75C
10
T
A
= 25C
T
A
= 0C
1
T
A
= -40C
0.1
0
20
40
60
80
100
V
R
,瞬时反向电压( V)
图。 3典型的反向特性
0.0
0
10
20
30
40
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型电容与反向电压
订购信息
设备
BAS16T-7-F
BAW56T-7-F
BAV70T-7-F
BAV99T-7-F
注意事项:
(注4 )
包装
SOT-523
SOT-523
SOT-523
SOT-523
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
4.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
DS30260启示录7 - 2
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www.diodes.com
BAS16T , BAW56T , BAV70T , BAV99T

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