DRV8412
DRV8432
SLES242C - 2009年12月 - 修订2010年5月
www.ti.com
图6
示出了与高周期接一个周期的操作
侧OC事件
图7
示周期接一个周期的
操作偏低OC 。虚线是
当没有CBC事件被触发工作波形
和SOLIDE线显示的波形时， CBC
触发事件。在CBC电流限制模式，
当检测到低侧FET的OC ， devcie将转向
关闭受影响的低边FET ，并保持偏多
FET在同一半brdige关闭，直到下一个PWM周期;
当检测高侧FET的OC ， devcie将转向
关闭受影响的高侧FET并开启低
侧FET的半brdige ，直到下一个PWM周期。
在OC锁存关断模式下， CBC限流
和错误恢复电路系统是禁用，
过流条件会导致设备
立即关闭。关机后， RESET_AB
和/或RESET_CD必须置为恢复
正常操作之后的过流条件是
删除。
为了增加灵活性， OC门槛
编程利用一个外部电阻器
连接OC_ADJ引脚和GND引脚之间。
SEE
表2
有关的相关信息
编程电阻值和OC之间
门槛。但是应当注意的是，适当地
正常过流检测呈
正确的电感器或铁氧体磁珠出席
功率级的输出。短路保护是不
保证直接在较短的输出引脚
功率级。
表2.编程电阻值和OC
门槛
OC-调整电阻
VALUES （千欧）
22
(1)
24
27
30
36
39
43
47
56
68
82
100
120
150
200
最大电流之前
OC时（ A）
11.6
10.7
9.7
8.8
7.4
6.9
6.3
5.8
4.9
4.1
3.4
2.8
2.4
1.9
1.4
过热保护
该
DRV8412/32
有
a
两电平
温度保护系统发出一个
低电平有效的预警信号（ OTW ）时，该设备
结点温度超过125 ℃（标称值） ，并且如果
该器件结温超过150℃
（标称值） ，该设备被放入热关断，
导致所有的半桥输出在被设置
高阻抗（Hi -Z）状态和故障是
置为低电平。 OTSD被锁在这种情况下，与
RESET_AB和RESET_CD必须被拉低到
清除锁存器。
欠压保护（ UVP ）和上电
复位（ POR ）
该DRV8412 / 32的UVP和POR电路完全
保护设备中的任何功率上升/下降和
掉电的情况。在上电时，上电复位
电路复位过流保护电路，并确保
所有的电路都完全运行时GVDD_X
和VDD供电电压达到9.8 V（典型值） 。
虽然GVDD_X和VDD独立
监视一个低于UVP电源电压的下降
任何VDD或GVDD_X针导致所有门槛
半桥输出立即在被设置
高阻抗（Hi -Z）状态和故障是
置为低电平。设备会自动恢复
操作时，对所有的自举电源电压
电容器已超过UVP门槛提高。
器件复位
提供了独立控制两个复位引脚
半桥接A / B和C / D 。当RESET_AB是
在低电平时，所有四个功率级场效应管
半桥A和B被强制进入
高阻抗（Hi -Z ）状态。同样，断言
RESET_CD低强制所有四个功率级场效应管的
半桥C和D为高阻态。对
适应自举充电开关之前
开始，断言复位输入，低电平使弱
下拉的半桥输出。
上电复位输入端的上升沿转变使
设备到后一个停机的故障恢复操作。
例如，当其中一个或两个半桥A和B具有
OC关机，低到RESET_AB高转换
引脚将清除故障和FAULT引脚;当一方或
两个半桥C和D有OC关机，低到
RESET_CD引脚的高转换将清除故障
和FAULT引脚为好。当OTSD发生时，这两个
RESET_AB和RESET_CD需要有一个从低到
高过渡到清除故障和故障信号。
（ 1 ）建议在OC锁存模式下使用
12
提交文档反馈
版权所有2009-2010，德州仪器
产品文件夹链接（ S） ：
DRV8412 DRV8432
