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STM32F103x8 ， STM32F103xB
表59 。
日期
修订历史
文档修订历史（续）
调整
变化
STM32F103CBT6 ， STM32F103T6和STM32F103T8根部
加号（见
表2： STM32F103xx中等密度的设备
功能和外围计数）
VFQFPN36包补充（见
第6节：包装特性） 。
所有的包都ECOPACK标准。包装机械数据
英寸值从毫米计算，并四舍五入到小数点后4位数字
（见
第6节：包装特性） 。
表5 ：中等密度STM32F103xx引脚定义
更新
澄清。
表26 ：低功耗模式唤醒时序
更新。
T
A
分纠正了
表12 ：嵌入内部参考电压。
注2
下面添加
表22 ： HSE 4-16 MHz振荡器的特性。
V
静电放电（CDM）的
增加值
表32 ： ESD绝对最大额定值。
注3
新增和V
OH
参数说明修改
表35 ：
输出电压特性。
注1
根据修改
表36 ： I / O的交流特性。
式（1）
和
表46 ，R
艾因
MAX对于f
ADC
= 14 MHz的
加入
第5.3.17 ： 12位ADC特性。
V
艾因
, t
S
最大值，T
CONV
, V
REF +
分钟和T
LAT
最大修改，修改后的注意事项
和T
LATR
在加
表45 ： ADC特性。
图36 ：ADC精度特性
更新。
注1
改进
下面
图37：使用ADC的典型连接图。
57页的静电放电（ESD ）
修改。
改性在TIM4通道数
图1： STM32F103xx
性能线路框图。
最大电流消耗
表13 ，表14中
和
表15
更新。 V
HYS
修改
表34 ： I / O的静态特性。
表48 ： ADC精度
更新。吨
VDD
修改
表10 ：工作
在上电/掉电条件。
V
FESD
增加价值
表30 ：
EMS的特点。
修正值，记2修改并注3：在去除
表26 ：
低功耗模式唤醒时序。
表16 ：在停止和典型和最大电流消耗
待机模式：
典型值增加了V
DD
/V
BAT
= 2.4 V,
注2
修改
注2
补充说。
表21 ：典型电流消耗在待机模式
补充说。
片上
外设电流消耗48页
补充说。
加
恒指
值的更新
表24 ： HSI振荡器的特性。
V
PROG
加入
表28 ：闪存的特点。
上面的选项字节地址修改
图10 ：内存映射。
典型F
LSI
增加价值
表25 ： LSI振荡器特性
和
内部RC修正值从32到40千赫的整个文档。
T
S_temp
加入
表49 ：TS特点。
N
结束
修改
表29 ：闪存耐用性和数据保留。
T
S_vrefint
加入
表12 ：嵌入内部参考电压。
处理中指定未使用的引脚
通用输入/输出
特点第58页。
所有的I / O是CMOS和TTL兼容。
图38 ：电源和参考去耦（V
REF +
不
连接到V
DDA
)
修改。
t
抖动
和f
VCO
除去从
表27 ： PLL特性。
附录A ：第81页的重要说明
补充说。
额外
图15 ，图16 ，图18中
和
图20 。
18-Oct-2007
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