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STM32F103x8 ， STM32F103xB
表59 。
日期
修订历史
文档修订历史（续）
调整
变化
I / O信息澄清
在第1页。
图3 ： STM32F103xx性能行LFBGA100 ballout
修改。
图10 ：内存映射
修改。
表4 ：定时器功能对比
补充说。
PB4 ， PB13 ， PB14 ， PB15 ， PB3 / TRACESWO从默认的感动
列重映射列
表5 ：中密度STM32F103xx
引脚定义。
P
D
对于LFBGA100纠正了
表9 ：常规操作条件。
注意：在修改
表13：最大电流消耗在执行命令
模式，代码与数据处理从Flash中运行
和
表15：
最大消耗电流在休眠模式下，代码运行
Flash或RAM 。
表20 ：高速外部用户时钟特性
和
表21：
低速外部用户时钟特性
修改。
图19
示出了一个典型的曲线（标题修改）。 ACC
恒指
最大值
修改
表24 ： HSI振荡器的特性。
TFBGA64封装补充（见
表55
和
表50）。
小文
变化。
注5
更新
注4
在加
表5 ：中密度
STM32F103xx引脚定义。
V
RERINT
和T
COEFF
加入
表12 ：嵌入式内参
电压。
I
DD_VBAT
增加值
表16 ：典型和最大
消耗电流在停机和待机模式。图17 ：典型
消耗电流在V
BAT
与RTC上与温度
不同的V
BAT
值
补充说。
f
HSE_ext
分修改
表20 ：高速外部用户时钟
的特点。
C
L1
和C
L2
用C代替中
表22 ： HSE 4-16 MHz振荡器
特征
和
表23 ： LSE振荡器的特性（F
LSE
=
32.768千赫） ，
注释修改和移动表所示。
表24 ： HSI
振荡器特性
修改。从条件移除
表26 ：
低功耗模式唤醒时序。
注1
下面修改
图23 ：典型应用有一个8 MHz的
水晶。
IEC 1000标准的更新，以符合IEC 61000和SAE J1752 / 3更新
IEC 61967-2中
第5.3.10 ： 55页上的EMC特性。
抖动加入
表27 ： PLL特性。
表41 ： SPI特点
修改。
C
ADC
和R
艾因
修改参数
表45 ： ADC特性。
R
艾因
修改后的最大值
表46 ，R
艾因
MAX对于f
ADC
= 14兆赫。
图44： LFBGA100 - 10 ×10mm的薄型精细间距球栅阵列
包装外形
更新。
加入STM32F103TB设备。
加入VFQFPN48包。
下面的更新说明2
表39 ：我
2
特点
更新
图31 ：我
2
C总线AC波形和测量电路
更新
图30 ：推荐NRST引脚保护
更新
第5.3.12 ： I / O端口特性
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22-Sep-2009
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03-Jun-2010
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