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电气特性
STM32F103x8 ， STM32F103xB
5.3.12
I / O端口特性
通用输入/输出特性
除非另有说明，所述参数在给定的
表34
从测试得到的
总结在的条件下进行
表9 。
所有的I / O是CMOS和TTL
兼容的。
表34 。
符号
I / O静态特性
参数
标准I / O输入低电平
电压
I / O FT
(1)
输入低电平电压
标准I / O输入高电平
电压
I / O FT
(1)
输入高电平电压
标准IO施密特触发器
电压迟滞
(2)
条件
民
–0.5
–0.5
0.41 (V
DD
–2)+1.3
0.42 (V
DD
–2)+1
200
5% V
DD(3)
V
SS
V
IN
V
DD
标准的I / O
V
IN
= 5 V
I / O FT
拉相当于弱
电阻器
(5)
下拉等效弱
电阻器
(5)
I / O引脚的电容
V
IN
½
V
SS
V
IN
½
V
DD
30
30
40
40
5
1
A
3
50
50
k
k
pF
典型值
最大
0.28 (V
DD
–2)+0.8
0.32 (V
DD
–2)+0.75
V
DD
+0.5
5.5
mV
mV
V
单位
V
IL
V
IH
V
HYS
IO FT施密特触发器电压
迟滞
(2)
I
LKG
输入漏电流
(4)
R
PU
R
PD
C
IO
1， FT = 5V容限。为了维持比V的电压较高
DD
0.5内部上拉/下拉电阻必须被禁止。
施密特触发器的开关电平之间2.滞后电压。基于特征，而不是在生产测试。
3.用最少的100毫伏。
4.泄漏可能比最高水平。如果负电流注入上相邻的销。
5，上拉和下拉电阻设计有串联一个真正的阻力可切换PMOS / NMOS 。这
MOS / NMOS贡献
串联电阻是最小
（ 10 ％的顺序）
.
所有的I / O是CMOS和TTL兼容（无需软件配置） 。其
特性覆盖超过严格的CMOS技术或TTL参数。该
覆盖这些要求中示出
图25
和
图26
对于标准的I / O ，并且
in
图27
和
图28
5 V容限I / O操作。
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