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VLMK310.
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
40
35
2.0
I
VREL
- 相对发光强度
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
16618
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
I
F
- 正向电流（mA ）
30
25
20
15
10
5
0
16615
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图1.最大。容许正向电流与
环境温度
图4.相对。发光强度与环境温度
0°
10°
20°
30°
2.0
I
V
REL
- 相对发光强度
I
规格
- 特定的光度
- 角位移
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1
2
5
10
20
50
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
95 10319
I
F
（MA ）
t
P
/T
96 11589
1
0.5
0.2
0.1 0.05
0.02
图2.相对。发光强度与角位移
图5的具体光强度与
正向电流/占空比
100
10
I
V
REL
- 相对发光强度
I
F
- 正向电流（mA ）
1
10
0.1
1
1.0
95 10878
0.01
1.5
2.0
2.5
3.0
96 11588
1
10
100
V
F
- 前进
电压
(V)
I
F
- 正向电流（mA ）
图3.正向电流与正向电压
图6.相对发光强度与正向电流
文档编号81230
修订版1.2 ， 04军， 08
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