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VLMK/R/Y71..
威世半导体
绝对最大额定值
1)
VLMK71../VLMR71../VLMY71..
参数
正向电流
功耗
结温
浪涌电流
吨< 10微秒， D = 0.1
工作温度范围
存储温度范围
热阻结/引脚
注意：
不是设计用于反向操作
1)
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
测试条件
符号
I
F
P
合计
T
j
I
FM
T
AMB
T
英镑
R
thJP
价值
400
1120
+ 120
500
- 40至+ 100
- 40至+ 100
20
单位
mA
mW
°C
mA
°C
°C
K / W
光学和电学特性
1)
VLMK71 ..， AMBER
参数
发光强度
主波长
光谱带宽
在50％的余
相对最大
半强度角
正向电压
2)
光效
测试条件
I
F
= 400毫安
I
F
= 400毫安
I
F
= 400毫安
I
F
= 400毫安
I
F
= 400毫安
I
F
= 400毫安
部分
VLMK71ABAD
包含类型
VLMK71AB
VLMK71AC
VLMK71AD
符号
l
V
l
V
l
V
λ
d
Δλ
V
F
Γopt
2.2
40
分钟。
9000
11250
14000
610
18
60
2.8
52
典型值。
马克斯。
11250
14000
18000
620
单位
MCD
MCD
MCD
nm
nm
度
V
IM / W
注意：
1)
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
2)
正向电压在1毫秒的电流脉冲的持续时间和在± 0.05伏的耐受性测试
光学和电学特性
1)
VLMR71 ..， RED
参数
发光强度
主波长
光谱带宽
在50％的余
相对最大
半强度角
正向电压
2)
光效
1)
测试条件
I
F
= 400毫安
I
F
= 400毫安
I
F
= 400毫安
I
F
= 400毫安
I
F
= 400毫安
I
F
= 400毫安
部分
VLMR71AAAC
包含类型
VLMR71AA
VLMR71AB
VLMR71AC
符号
l
V
l
V
l
V
λ
d
Δλ
V
F
Γopt
分钟。
7150
9000
11250
620
典型值。
马克斯。
9000
11250
14000
630
单位
MCD
MCD
MCD
nm
nm
度
18
60
2.2
30
2.8
39
V
IM / W
注意：
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
2)
正向电压在1毫秒的电流脉冲的持续时间和在± 0.05伏的耐受性测试
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2
文档编号81707
修订版1.3 ， 05 -MAR -08
