位置：首页 > IC型号导航 > 首字符V型号页 > 首字符V的型号第79页 > VLMTG3100-GS18 > VLMTG3100-GS18 PDF资料 > VLMTG3100-GS18 PDF资料1第4页
VLMB/BG/TG31..
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
25
I
V
REL
- 相对发光强度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
400
16069
蓝
I
F
- 正向电流（mA ）
20
15
10
5
0
0
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100 110
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
420
440
460
480
500
520
540
560
16806
λ
-
波长
（纳米）
图1.正向电流与环境温度的InGaN
图4.相对强度与波长
100
90
I
F
- 正向电流（mA ）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2.0
19918
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
16070
1.2
1.1
蓝
绿色
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
420 440 460 480 500 520 540 560 580 600
λ
-
波长
（纳米）
V
F
- 前进
电压
(V)
图2.正向电流与正向电压
I
VREL
- 相对发光强度
1
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
I
V
REL
- 相对发光强度
图5.相对强度与波长
10
I
VREL
- 相对发光强度
1
0.1
0.01
16194
1.2
1.1
真正的绿色
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
460 480 500 520 540 560 580 600 620
λ
-
波长
（纳米）
16068
图3.具体的光通量与正向电流
图6.相对强度与波长
www.vishay.com
4
文档编号81242
修订版1.1 ， 31 - 8 - 07
