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TLV700xx
TLV701xx
SLVSA00A - 2009年9月 - 修订2010年4月
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
TLV700xx
YYY
TLV701xx
YYY
(1)
(2)
V
OUT
(2)
XX
是标称输出电压（例如， 28 = 2.8 V） 。
YYY
是包的指示符。
Z
是磁带和卷轴数量（ R = 3000 ， T = 250） 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者访问
器件产品文件夹在
www.ti.com 。
从0.7 V至4.8 V的50 mV的增量输出电压可供选择。请与工厂联系了解详细信息和可用性。
绝对最大额定值
(1)
在T
J
= -40° C到+ 125 ℃（除非另有说明） 。所有的电压都是相对于GND 。
参数
输入电压范围，V
IN
开启电压范围，V
EN
输出电压范围，V
OUT
最大输出电流，我
OUT
输出短路持续时间
总的连续功率耗散，P
DISS
ESD额定值
人体模型（ HBM ）
带电器件模型（ CDM）
2
500
-55到+150
-55到+150
TLV700xx/TLV701xx
-0.3到+6.0
-0.3到+6.0
-0.3到+6.0
内部限制
不定
SEE
耗散额定值
表
kV
V
°C
°C
单位
V
V
V
工作结温范围，T
J
存储温度范围，T
英镑
(1)
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
耗散额定值
板
低K
(1)
(2)
包
DCK
DCK
DSE
DDC
DDC
R
QJC
165°C/W
165°C/W
67°C/W
90°C/W
90°C/W
R
qJA
395°C/W
315°C/W
180°C/W
280°C/W
200°C/W
降额因子
上述牛逼
A
= +25°C
2.5毫瓦/°C的
3.2毫瓦/°C的
4.55毫瓦/°C的
3.6毫瓦/°C的
5.0毫瓦/°C的
T
A
< + 25°C
250毫瓦
320毫瓦
555毫瓦
360毫瓦
500毫瓦
T
A
= +70°C
140毫瓦
175毫瓦
305毫瓦
200毫瓦
275毫瓦
T
A
= +85°C
100毫瓦
130毫瓦
222毫瓦
145毫瓦
200毫瓦
高K
低K
高K
(2)
(1)
高K
(2)
(1)
(2)
JEDEC的低K （ 1S）板用于导出这些数据是一块3英寸× 3英寸，双层板， 2盎司铜迹线的顶部
板。
JEDEC的高K （ 2S2P ）板用于导出这些数据是一块3英寸× 3英寸，多层板用1盎司的内在动力和
接地层和2盎司铜迹线之上的董事会和底部。
2
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