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散热片
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Y
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IMI
三菱微型计算机
M37733EHBXXXFP
M37733EHBFS
PROM版本M37733MHBXXXFP的
功能EPROM模式
1M模式（相当于M5M27C101K ）
阅读
___
___
编程操作
编程M37733EHBXXXFP ，首先设置V
CC
= 6 V, V
PP
= 12.5
V，并设置地址01000
16
。适用于0.2 ms的编程
脉冲，检查数据可以被读出，并且，如果它不能被读取行，
重复上述步骤，将一个0.2毫秒的编程脉冲，
检查该数据可以被读取，直到它可以读取行。记录
脉冲的施加（X）中的数据之前，累积的数目可以是
OK（确定） ，然后再写入数据时，应用另一本次
脉冲数（0.2
!
X毫秒）。
当这一系列的编程操作完成后，增量
地址，并继续重复上述过程，直到
最后一个地址已经达到。
最后，当所有的地址都被编程，阅读与V
CC
=
V
PP
= 5 V （或V
CC
= V
PP
= 5.5 V).
表2. I /每种模式下输出信号
针
模式
读出
产量
关闭
程序设计
程序设计
VERIFY
程序禁用
___
___
_____
要读取EPROM ，设置
CE
和
OE
引脚到一个“ L”电平。输入
数据的地址（A
0
– A
16
）被读取，并且数据将被输出
到I / O引脚
0
– D
7
。数据I / O引脚将处于浮空时，无论
__
__
该
CE
or
OE
引脚呈“H”的状态。
程序设计
编程必须在8位由一个字节的程序来执行。对
___
___
程序的EPROM ，设置
CE
销到一个“ L”电平以及
OE
销到
一个“ H”电平。 CPU将进入编程模式时， 12.5 V
被施加于V
PP
引脚。的地址进行编程选择为
与引脚
0
–
_____
和要编程的数据被输入到管脚
0
A
16
,
– D
7
。设置
PGM
引脚为“L”电平被编程。
删除
要清除这种芯片上的数据，使用紫外光源有2537
埃的波长。所需的最小发射功率
擦除是15焦耳/平方厘米
2
.
CE
OE
PGM
V
PP
5V
5V
V
CC
5V
5V
数据I / O
产量
漂浮的
漂浮的
输入
产量
漂浮的
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IL
V
IH
X
X
X
5V 5V
V
IL
12.5 V 6 V
V
IH
12.5 V 6 V
V
IH
12.5 V 6 V
注1
：X表示无论是V
IL
或V
IH
.
编程操作（相当于M5M27C101K ）
AC电气特性（T
a
= 25 ±5℃ ，V
CC
= 6 V ± 0.25 V, V
PP
= 12.5 ±0.3 V时，除非另有说明）
符号
t
AS
t
OES
t
DS
t
AH
t
DH
t
DFP广告管理系统
t
VCS
t
VPS
t
PW
t
OPW
t
CES
t
OE
地址建立时间
___
参数
测试条件
范围
分钟。
2
2
2
0
2
0
2
2
0.19
0.19
2
0.2
0.21
5.25
150
130
典型值。
马克斯。
单位
s
s
s
s
s
ns
s
s
ms
ms
s
ns
OE
建立时间
数据建立时间
地址保持时间
数据保持时间
输出使能到输出的浮动延迟
V
CC
建立时间
V
PP
建立时间
PGM
脉冲宽度
_____
PGM
在编程脉冲宽度
_____
___
CE
建立时间
__
数据有效期从
OE
10
