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LTC4352
手术
的LTC4352控制单个或备份到后端
N沟道MOSFET ，以模拟一个理想二极管。双重
MOSFET的消除从输入到输出的电流溢流
在输入欠压或过压状态。
当启用时，一个放大器器（ AMP ）监视电压
在V之间
IN
和OUT引脚，并驱动GATE引脚。
该放大器器控制外部MOSFET的栅极
为伺服它的正向电压降（V
IN
- OUT）来为25mV 。
的栅极电压上升，以提高MOSFET的，如果负载
目前导致超过25mV的下降。对于产量大
电流MOSFET栅极驱动完全上和电压
降等于我
负载
R
DS （ ON）
.
在输入电源短路的情况下，当
MOSFET导通时，一个大的反向电流开始
从对输入负载佛罗里达州因。 AMP的检测
这种失效的条件下，只要它的出现，并且关断
在MOSFET拉低GATE引脚。该REV引脚
可用于允许反向电流，以覆盖二极管
行为。
AMP的快速拉式GATE引脚时，它检测
一个大的正向电压降。之间的外部电容
需要快速闸门拉了CPO和源极引脚。
该电容器被充电时，在设备上电时，由
内部电荷泵。此存储的电荷被用于
快速闸门拉了起来。
GATE引脚源来自CPO引脚的电流，和汇
源极和GND引脚的电流。内部夹
限制栅极至源极电压为6.1V ，而CPO
源极电压为6.7V 。同样的夹子也限制
的棕榈油和GATE引脚到低于一个二极管电压
源极引脚。
OV ，UV和V
CC
比较器， CP1到CP3 ，控制电源
通过。该MOSFET保持关断时的OV引脚
高于0.5V时， UV引脚电压低于0.5V ，或在V
CC
引脚
下面2.57V 。有来自全部三个条件一个延迟为40μs
系统蒸发散变得好GATE被允许打开。
过压导致快速关断，欠压时
激活一个100μA的门一为7μs延迟后上拉了下来。
漏极开路下拉， M1 ，拉
状态
引脚为低电平
当栅极至源极电压超过0.7V ，以
显示电源已通过MOSFET。该
故障
欠压输出过程中，M2 ，拉低或
过压故障状态。这也拉低当GATE
是完全对与正向电压降超过250mV的，
指示所述MOSFET具有电流太大或已经失败
开路。
LDO是一种低压差稳压器产生一个4.1V
供应在V
CC
销从V
IN
输入。当供应
下面2.9V正在或运算，外部电源在2.9V
至6V范围，需要在V
CC
引脚。比较CP4
当将禁用LDO V
IN
低于V
CC
.
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