DG308B/309B
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
110
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
–20 –16 –12
–8
–4
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压（ V）
"20
V
"10
V
"15
V
"5
V
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–15
125_C
85_C
25_C
–55_C
V+ = 15 V
V– = –15 V
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
r
DS （ ON）
与V
D
与单电源电压
250
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
225
200
V+ = 5 V
漏电流与模拟电压
40
30
20
I S ， I D - 电流（ PA）
V+ = 22 V
V– = –22 V
T
A
= 25_C
I
D（上）
175
150
125
10 V
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
D
- 漏极电压（ V）
12 V
15 V
7V
10
0
–10
–20
–30
–40
–20
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
模拟电压
漏电流与温度的关系
1 nA的
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
S,
V
D
=
"14
V
30
Q
S,
Q
D
- 电荷注入与模拟电压
20
I S ， I D - 当前
Q - 费（ PC）
100 pA的
10
V+ = 15 V
V– = –15 V
V+ = 12 V
V– = 0 V
–10
0
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
10 pA的
–20
1 pA的
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105 125
–30
–15
–10
–5
0
5
10
15
温度（℃）
模拟电压（ V）
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S
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4-4
文档编号： 70047
S- 52896 -REV 。 E， 7月14日 - 97
