ESMT
阅读&写周期在同一家银行@Burst长度= 4
0
时钟
M52S32162A
工作温度条件-40 ° C 85°C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
高
CKE
*Note1
t
RC
CS
t
RCD
RAS
*Note2
CAS
ADDR
Ra
Ca0
Rb
Cb0
BA
A10/AP
Ra
Rb
t
OH
CL=2
QC
CL=3
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
t
交流
*Note3
t
S交流
Qa0
t
中文
t
Qa1
Qa2
Qa3
*Note4
t
RDL
Db0
Db1
Db2
Db3
t
交流
*Note3
t
S交流
t
中文
*Note4
t
RDL
WE
DQ M
行活动
（ A-银行）
读
（ A-潘基K）
预充电
（ A-银行）
行活动
（ A-银行）
W R ITE
（ A-潘基K）
预充电
（ A-银行）
：无所谓
*注意：
1.Minimum行周期时间才能完成内部DRAM操作。
2.Row预充电可以中断突发的任何周期。 [CAS延迟- 1 ]行后有效输出数据的数量可
预充电。最后的有效输出将是高阻（T
SHZ
）钟后。
3.Access时间从行激活命令。 TCC * （T
RCD
+ CAS延迟- 1 ） + T
SAC
4.Ouput将高阻脉冲结束后（ 1,2,4,8位脉冲串）
一阵无法在全页模式结束。
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2007年7月
调整
:
1.0
15/30
