高速超低功率SRAM
8K字由8位
WS6264
概述
该
WS6264
是一种高性能，高速度和超低功耗CMOS静态随机
存取记忆体组织为8,192字由8位，并从单一4.5V至5.5V的电源电压工作。
先进的CMOS工艺和电路技术同时提供高速，超低功耗的特点，并
在5.0V工作电压为70ns的最大访问时间。易存储器扩展，通过使用两个芯片提供
使能输入（ / CE1 ， CE2 ）和低电平有效输出使能（ / OE ） 。
该
WS6264
具有自动断电功能，从而降低功率消耗显著
当芯片被取消。该
WS6264
在JEDEC标准的28引脚SOP （ 300万），并提供PDIP
（600密耳）的软件包。
特点
工作电压： 4.5 5.5V
超低功耗：
工作电流1mA @ 1MHz的& CMOS待机电流1.0uA （典型值）在VCC = 5.0V
高速存取时间： 70ns的。
自动断电，当芯片被取消。
三态输出与TTL兼容。
数据保持电源电压低至2.0V 。
易于扩展与/ CE1 ， CE2和/ OE选项。
产品系列
产品系列
WS6264LLFP
WS6264LLP
WS6264LLFPI
WS6264LLPI
0~70 C
o
工作温度。
VCC范围
速度快（纳秒）
待机电流（典型值）。
I
CCSB1
1.0uA
套餐类型
28 SOP
4.5~5.5V
70
28 PDIP
28 SOP
28 PDIP
o
-40~85 C
70
1.0uA
1.0版
1
