LTC3252
单操作
进一步的输入噪声降低可以通过过滤来实现
通过一个非常小的串联电感器，如图中的输入
图5. 10nH到电感器将拒绝快速输入转录
sients通过消隐期间引起的，从而呈现
一个几乎恒定负载的输入电源。对于经济
10nH到电感器可在PC板制造
PC板走线约1cm （ 0.4" ） 。
V
IN
供应
10nH
V
IN
4.7F
LTC3252
GND
3252 F05
图5. 10nH到电感用于
额外的输入降噪
飞电容的选择
警告：有极性的电容，如钽或alumi-
NUM不应该用于自飞跨电容
其电压可在启动时将LTC3252的逆转。
陶瓷电容应该总是被用于飞行
电容器。
飞行控制电容器的电荷的强度
泵。为了达到额定输出电流是
必需的飞跨电容具有至少0.4μF的
电容在工作温度下具有2V偏置
（见陶瓷电容选择指南） 。如果百毫安
或更少的电流从输出则其阿索需要
ciated飞跨电容的最小可减少到0.15μF 。
陶瓷电容的选择指南
不同材料的电容器失去它们的电容
用较高的温度和电压以不同的速率。为
例如，陶瓷电容器X7R材料制成将
保留大部分的电容从 - 40 ° C至85°C ，而
一个Z5U或Y5V电容器的风格将失去相当大
电容超过该范围（ 60％80 ％的损失典型值）。
Z5U和Y5V电容器也可以有很强的
电压系数使他们失去了一个额外的
为60％以上的容量的额定电压时
被施加。因此，比较不同的电容时，
器往往是比较合适的，比较的量
可实现的容量对于一个给定的情况下大小，而不是
U
（参见简化框图）
讨论特定网络版的电容值。例如，
在额定电压和温度的条件下，一个4.7μF ，
10V ， Y5V陶瓷电容器在0805的情况下可以不
提供比任何一个1μF ， 10V ， X7R电容多
可在相同的0805的情况下。事实上，在偏压和
温度范围内， 1μF ， 10V ，X7R将提供更
电容比4.7μF ， 10V ， Y5V 。电容器
制造商的数据表，应咨询以确定
矿什么电容器的值是必要的，以确保微型
妈妈电容值都满足了运营
温度和偏置电压。
下面是陶瓷电容器制造商的列表，并
如何与他们联系：
AVX
基美
村田
太阳诱电
日前，Vishay
www.avxcorp.com
www.kemet.com
www.murata.com
www.t-yuden.com
www.vishay.com
布局的注意事项
由于高开关频率和瞬态电流
由LTC3252精心的电路板生产的布局是neces-
萨利以获得最佳性能。一个真正的地平面，
短连接，所有的电容将提高perfor-
性能并确保在所有条件下适当的调节。
图7示出了所建议的布局配置。记
封装的裸露焊盘接地（ GND ）和
必须焊接到印刷电路板接地。
飞跨电容C1的引脚
+
, C1
–
, C2
+
和C2
–
将有
非常高的边缘速率波形。在这些大的dv / dt
引脚可以耦合能量电容相邻印刷
电路板上运行。磁场也可以产生
如果飞电容不接近的LTC3252 （即，
环路面积大） 。去耦电容的能量
传输中，可以使用一个法拉第屏蔽。这是一个接地
敏感节点和LTC3252的PC跟踪
销。对于高品质的交流接地，它应返回到
那一路延伸到在硬地面上
LTC3252 。保持FB走线远离或屏蔽
飞跨电容的痕迹或性能下降可能
结果。
3252f
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