ICS8524
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-22
D
。微分
-
TO
-HSTL F
ANOUT
B
UFFER
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
50mA
100mA
22.3 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
=0°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
空载
1
测试条件
最低
3.135
1.6
典型
3.3
1. 8
最大
3.465
2.0
220
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
=0°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
OE ， CLK_SEL
OE ， CLK_SEL
-150
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
0.8
5
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4C 。
。微分
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
=0°C
TO
85°C
符号参数
I
IH
I
IL
V
PP
输入高电流
输入低电平电流
CLK ， NCLK
CLK ， NCLK
测试条件
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-150
0.15
1.3
V
DD
- 0.85
最低
典型
最大
150
单位
A
A
V
V
峰 - 峰值输入电压
V
CMR
共模输入电压;注： 1 ， 2
GND + 0.5
注1 ：共模电压定义为V
IH
.
注2：对于单端应用中，最大输入电压为CLK和NCLK为V
DD
+ 0.3V.
8524AY
www.icst.com/products/hiperclocks.html
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REV 。 B 2007年8月1日
