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扩展模式寄存器设置（ EMRS ）
EM488M3244LBA
扩展模式寄存器写的是主张低/ CS ， / RAS ， / CAS ， / WE和高BA1上（该
SDRAM应在所有银行预充电与CKE写入扩展模式寄存器已经之前。 ）
地址引脚A0 - A10在同一个周期内的状态，并为BA1 / CS ， / RAS ， / CAS ，和/难道是低
写在扩展模式寄存器。模式寄存器中的内容可以使用相同的改变
操作过程中命令和时钟周期的要求，只要所有银行都处于空闲状态。
BA1
1
BA0
0
A11/A10
0
A9
0
A8
0
A7
0
A6
0
A5
DS
A4
0
A3
0
A2
0
A1
A0
驱动力
1/2强
1/4强
A5
0
1
BA1
0
1
太太
正常
EMRS
输出驱动强度
正常的驱动强度得到了所有的输出被指定为LV- CMOS 。通过设置EMRS具体参数
上只有A5中，数据输出驱动器的驱动能力被选择。它与其他移动SDRAM DS不同
设定（其它移动应用A6 / A5 ） 。
2006年7月
12/19
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