三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21963/-A/-C
模内转印式
绝缘型
热阻
符号
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）F
参数
结到外壳热
阻力
（注3）
条件
IGBT逆变器部分（每1/6模块）
变频器FWD部分（每1/6模块）
分钟。
—
—
范围
典型值。
—
—
马克斯。
3.7
4.5
单位
° C / W
° C / W
注3 ：
脂具有良好的热导率应均匀地施加约± 100微米+ 200μm的DIP-IPM的接触表面上
和散热器。
DIP-IPM的情况下，与热沉之间（接触热阻R
TH（ C-F ）
）由厚度和热测定
导电性的应用润滑脂。供参考，R
TH（ C-F ）
（每1/6模块）为约0.3 °C / W时，润滑脂的厚度为20μm和
的热传导率为1.0W /米·K 。
电气特性
(T
j
= 25 ℃，除非另有说明）
逆变部分
符号
V
CE （ SAT ）
V
EC
t
on
t
rr
t
C（ ON）
t
关闭
t
C（ OFF）
I
CES
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
FWD正向电压
条件
I
C
= 10A ，T
j
= 25°C
V
D
= V
DB
= 15V
V
IN
= 5V
I
C
= 10A ，T
j
= 125°C
T
j
= 25 ° C， -I
C
= 10A ，V
IN
= 0V
V
CC
= 300V, V
D
= V
DB
= 15V
开关时间
I
C
= 10A ，T
j
= 125°C ，V
IN
= 0
5V
感性负载（上，下臂）
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
—
—
0.60
—
—
—
—
—
—
范围
典型值。
1.70
1.80
1.70
1.10
0.30
0.40
1.50
0.50
—
—
马克斯。
2.20
2.30
2.20
1.70
—
0.60
2.10
0.80
1
10
单位
V
V
s
s
s
s
s
mA
集电极 - 发射极截止
当前
V
CE
= V
CES
控制（保护）第
符号
参数
条件
V
D
= V
DB
= 15V
总的V
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V
IN
= 5V
V
UFB
-U ，V
VFB
-V, V
WFB
-W
总的V
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V
D
= V
DB
= 15V
V
IN
= 0V
V
UFB
-U ，V
VFB
-V, V
WFB
-W
V
SC
= 0V ，女
O
端的上拉至5V通过10kΩ的
V
SC
= 1V ，我
FO
= 1毫安
T
j
= 25 ° C，V
D
= 15V
（注4 ）
V
IN
= 5V
旅行等级
复位电平
T
j
≤
125°C
旅行等级
复位电平
（注5 ）
分钟。
—
—
—
—
4.9
—
0.43
0.70
10.0
10.5
10.3
10.8
20
—
0.8
0.35
范围
典型值。
—
—
—
—
—
—
0.48
1.00
—
—
—
—
—
2.1
1.3
0.65
马克斯。
2.80
0.55
2.80
0.55
—
0.95
0.53
1.50
12.0
12.5
12.5
13.0
—
2.6
—
—
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
V
V
V
V
s
V
V
V
I
D
短路电流
V
FOH
V
FOL
V
SC （ REF）
I
IN
UV
DBT
UV
DBR
UV
Dt
UV
Dr
t
FO
V
TH （ON）的
V
TH （OFF）的
V
日（ HYS ）
F
O
输出电压
短路跳闸等级
输入电流
控制电源欠压
保护
故障输出脉冲宽度
对阈值电压
断阈值电压
开/关阈值的滞后
电压
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
, U
N
, V
N
, W
N
-V
NC
注4 ：
短路保护功能只对下臂。请选择外部分流电阻，使得SC跳闸水平
小于1.7倍的额定电流。
5 :
故障信号对应于短路或低侧控制电源欠压故障。
2005年6月
