CXG1172UR
框图和推荐电路
RF3
GND
C
RF
C
RF
RF2
6
5
4
GND
7
F3
C
RF
F2
F1
3
GND
C
RF
8
F4
2
RF1
RF4
GND
9
10
11
12
1
GND
醉倒（ 100pF的）
醉倒
(100pF)
RCTL （为1kΩ ）
V
DD
GND
CTL
当使用这种集成电路，以下的外部元件应该被使用。
RCTL ：此电阻器用于改善ESD性能。 1kΩ的建议。
C
RF
：该电容器用于射频去耦，并且必须被用于所有的应用程序。
醉倒：该电容用于直流线路滤波。 100pF的建议。
真值表
CTL
L
H
在国家
RF1 - RF2 ， RF3 - RF4
RF2 - RF3 ， RF4 - RF1
关国
RF2 - RF3 ， RF4 - RF1
RF1 - RF2 ， RF3 - RF4
F1
ON
关闭
F2
关闭
ON
F3
ON
关闭
F4
关闭
ON
–2–
