ISL6140 ， ISL6150
引脚配置
ISL6140 ， ISL6150
（ 8 LD SOIC ）
顶视图
PWRGD / PWRGD 1
OV
UV
V
EE
2
3
4
8 V
DD
7漏极
6门
5 SENSE
ISL6140具有主动低（L版） PWRGD输出引脚
ISL6150具有主动高（ H版） PWRGD输出引脚
订购信息
部分
数
（注2,3）
ISL6140CBZ
ISL6140CBZ -T （注1 ）
ISL6140IBZ -T （注1 ）
ISL6140IBZ
ISL6150CB
ISL6150CBZ
ISL6150CBZ -T （注1 ）
ISL6150IB -T （注1 ）
ISL6150IBZ
ISL6150IBZ -T （注1 ）
注意事项：
1.请参考
TB347
对卷筒规格的详细信息。
2.这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套，模塑料/晶片的附属
材料和100 ％雾锡板加退火（ E3终止完成，这是符合RoHS标准，既兼容
锡铅和无铅焊接操作） 。 Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
3.潮湿敏感度等级（MSL ） ，请参阅设备信息页forISL6140 。有关MSL更多信息，请参阅
techbrief
TB363.
最热
ISL61 40CBZ
ISL61 40CBZ
ISL61 40IBZ
ISL61 40IBZ
ISL 6150CB
ISL61 50CBZ
ISL61 50CBZ
ISL 6150IB
ISL61 50IBZ
ISL61 50IBZ
温度。
范围（° C）
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
0至+70
0至+70
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
包
8 Ld的SOIC （无铅）
8 Ld的SOIC （无铅）
8 Ld的SOIC （无铅）
8 Ld的SOIC （无铅）
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC （无铅）
8 Ld的SOIC （无铅）
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC （无铅）
8 Ld的SOIC （无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
引脚说明
PWRGD （ ISL6140 ，L版）引脚1
这个数字输出是漏极开路下拉器件。
电源良好比较着眼于漏极引脚
电压相比，内部的VPG参考（ VPG是
标称1.7V ） ;这基本上是测量电压
整个外部FET和检测电阻下降。如果
电压降小（ <1.7V是正常的） ，则PWRGD
引脚拉低（至VEE ） ;这可以被用作活性
低启用外部模块。如果该电压降
太大（ >1.7V表示某种短或
过载情况），则下拉器件关断，
和端子变为高阻抗。通常情况下，一个
外部上拉某种用来拉销
高（很多砖稳压器具有上拉功能
建） 。
2
PWRGD （ ISL6150 ; H版）引脚1
这个数字输出是漏极开路的变
下拉器件。电源良好比较器的
与上述相同，但输出的极性
反转时，如下所示：
如果FET上的电压降过大（ >1.7V ）
漏极开路下拉器件将开启和水槽
到漏极的电流。如果该电压降是小
（ <1.7V ），用6.2K一个第二下拉器件串联
电阻（标称值）的吸收电流为V
EE
;如果外部
上拉电流足够低（ <1毫安，例如） ，
电阻两端的电压降将足够大的
看起来像一个逻辑高信号（在本例中，
1毫安* 6.2kΩ = 6.2V ） 。该管脚可以被用作为一个
活性高的使能信号为外部模块。
FN9039.4
