TPCA8014-H
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（超高速U- MOSIII ）
TPCA8014-H
高效率DC / DC转换器应用
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
6.0±0.3
0.5±0.1
8
1.27
5.0±0.2
单位：mm
0.4±0.1
5
0.05 M A
由于占用空间小，小而薄的封装
高速开关
小栅极电荷： Qsw的= 7.4 NC（典型值）。
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 7.1毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 47 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10 μA （最大值） （V
DS
= 40 V)
增强型： V
th
= 1.1 2.3 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
0.15±0.05
1
5.0±0.2
0.95±0.05
4
0.595
A
0.166±0.05
S
1
0.05 S
4
1.1±0.2
4.25±0.2
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
P
D
E
AS
I
AR
等级
40
40
±20
30
90
45
2.8
单位
V
V
V
A
W
W
8
5 0.8±0.1
1,2,3：SOURCE
5,6,7,8：DRAIN
4：GATE
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-5Q1A
脉冲（注1 ）
漏极功耗（ TC = 25 ℃ ）
漏极功耗
(t
=
10 s)
（注2A ）
漏极功耗
(t
=
10 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（ TC = 25 ℃ ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
重量： 0.068克（典型值）。
1.6
W
电路CON组fi guration
8
7
6
5
84
30
2.7
150
55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
E
AR
T
ch
T
英镑
1
2
3
注意：对于注释1至5，参见下页。
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
1
2006-11-17
3.5±0.2
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
0.6±0.1
4
