CY62148E的MoBL
4兆位（ 512K ×8）静态RAM
特点
超高速： 45纳秒
电压范围： 4.5V - 5.5V
与CY62148B 引脚兼容
超低待机功耗
- 典型待机电流： 1 μA
- 最大待机电流： 7 μA （工业）
超低有功功率
- 典型工作电流：2.0毫安， F = 1兆赫
易于扩展内存通过CE ， OE和特点
取消时自动断电
CMOS最佳的速度和力量
提供无铅32引脚TSOP II和32引脚SOIC
[2]
套餐
功能说明
[1]
该CY62148E是一种高性能的CMOS静态RAM
由8位， 512K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
降低了当地址不切换功率消耗。
将器件置于待机模式，降低功耗
取消选择时，由多于99 ％的消费（CE高电平） 。
八个输入和输出引脚（IO
0
通过IO
7
）置于
在高阻抗状态时：
取消（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
写操作处于活动状态（低CE和WE LOW ）
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。在8 IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
)
将被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
18
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。
存储器位置的在这些条件下，将内容
通过引脚上出现的IO引脚的地址来指定。
产品组合
功耗
产品
范围
V
CC
范围（V ）
民
CY62148ELL
CY62148ELL
TSOP II
SOIC
Ind'l
Ind'l /自动-A
4.5
4.5
典型值
[3]
5.0
5.0
最大
5.5
5.5
45
55
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（MA ）
F = 1MHz的
典型值
[3]
2
2
最大
2.5
2.5
f = f
最大
典型值
[3]
15
15
最大
20
20
待我
SB2
(A)
典型值
[3]
1
1
最大
7
7
笔记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记“系统设计指南”的
http://www.cypress.com 。
2. SOIC封装仅在55纳秒的速度斌。
3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05442牧师* F
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年3月28日
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