AT60142F
数据保持方式
爱特梅尔CMOS RAM的设计有电池备份的初衷。数据保持电压
而电源电流，保证了温度。以下规则确保数据
保留：
1.在数据保留片选CS必须在保持高
V
CC
to
V
CC
-0.2V.
2.输出使能（ OE ）应保持高电平，以保持RAM输出高阻抗
ANCE ，最大限度地降低功耗。
3.在上电和断电转换CS和OE必须保持在
V
CC
+ 0.3V和70％的
V
CC
.
4. RAM就可以开始操作>吨
R
NS后
V
CC
达到最小操作
电压（3V） 。
图1 。
数据保持时间
数据保持特性
参数
V
CCDR
描述
V
CC
对于数据
保留
CHIP DESELECT
到数据
保留时间
手术
恢复时间
数据保留
当前
T
AVAV
=读周期时间。
CS = V
CC
, V
IN
= GND / V
CC
.
民
2.0
典型吨
A
= 25°C
–
最大
–
单位
V
t
CDR
0.0
–
–
ns
t
R
I
CCDR （2）
1.
2.
t
AVAV
–
(1)
–
0.700
–
1.3
ns
mA
6
4408G–AERO–04/09
