10TTS08SPbF高电压系列
日前，Vishay高功率产品
表面贴装
相位控制可控硅， 10 A
最大通态平均功耗（ W）
12
10
8
6
RMS限制
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
通态平均电流（A）
导通时间
最大允许外壳温度（ ℃）
125
10TTS08
R
thJC
（DC） = 1.5 K / W
120
导通角
DC
180°
120°
90°
60°
30°
115
30°
60°
110
90°
120°
180°
105
0
1
2
3
4
5
6
7
通态平均电流（A）
10TTS08
T
J
= 125°C
图。 1 - 额定电流特性
图。 4 - 通态功耗特性
最大允许外壳温度（ ℃）
10TTS08
R
thJC
（DC） = 1.5 K / W
峰值半正弦波通态电流（A ）
125
130
120
110
100
90
80
70
60
1
在任何额定载荷条件和
为V
RRM
适用于以下浪涌。
120
导通时间
初始的T
J
= 125°C
@ 60 Hz的0.0083 s
@ 50 Hz的0.0100 s
115
30°
60°
110
90°
120°
180 °直流
105
0
2
4
6
8
10
12
通态平均电流（A）
10TTS08
10
100
等幅半周期电流脉冲数（N ）
图。 2 - 额定电流特性
图。 5 - 最大不重复浪涌电流
峰值半正弦波通态电流（A ）
最大通态平均功耗（ W）
8
7
6
5
4
3
导通角
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
180°
120°
90°
60°
30°
RMS限制
最大非重复浪涌电流
对比脉冲序列的持续时间。控制
传导可能不保。
初始的T
J
= 125°C
没有再通电
为V
RRM
重新申请
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
通态平均电流（A）
10TTS08
T
J
= 125°C
10TTS08
50
0.01
0.1
脉冲串持续时间（ S）
1
图。 3 - 通态功耗特性
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
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4
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文档编号： 94562
修订： 24 -APR- 08
