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TPS65070 ， TPS65072 ， TPS65073
TPS650731 ， TPS650732
SLVS950B - 2009年7月 - 修订2009年12月
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厦华睡眠模式和深度睡眠模式支持
TPS6507x包含针对的Sirf普瑞玛处理器测序选项。排序选项定义了
电压斜坡在初始上电和关断，以及定时进入节电模式的
处理器（睡眠模式）。在厦华处理器支持睡眠模式，同时深度睡眠模式。主
从一个电源点的区别是：
如何电源电压被关断
哪些电压关闭
如何省电模式退出到正常模式
复位断言或没有（ TPS6507x的PGOOD引脚变为主动低）
对于普瑞玛测序选项中的每一个寄存器中定义的DC-DC转换器的测序和
该LDO的。 DCDC_SQ [2..0] =寄存器CON_CTRL1 100定义了用于DC-DC的启动顺序
转换器而LDO_SQ [ 2..0] = 111定义序列的LDO稳压器。默认值是工厂编程
因此，可以确保所述第一电源接通在正确的顺序进行。
当TPS6507x是关闭的，小的状态机监督引脚PB_IN的状态，而主要模块都没有
只要没有输入电压到充电器供电，以实现最小的消耗电流从电池。
开机的TPS6507x被PB_IN开始变低。这将打开电源-FET从电池所以
系统电压（SYS）正在上升，在PMU的主块供电。经过了50ms的去抖时间，
主状态机将拉动PB_OUT =低，表明有一个“按键” ，用户和将斜坡
根据编程的序列的DC-DC转换器和LDO稳压器。它连接的电源是重要
导轨为处理器完全DCDC转换器和LDO的如图所示的原理图和测序
图顺序是否正确。对于厦华，电压轨VDD_RTCIO需要先坡道。该电源轨
不提供在PMU但是从由一个称为EN_EXTLDO从信号使能外部LDO
PMU 。因此， PMU会先上涨的逻辑电平的引脚EN_EXTLDO高，令外部LDO 。后
一个1ms的延迟PMU将逐渐LDO2为VDD_PRE和DCDC3的VDD_PDN 。时的输出电压
LDO2是在它的标称范围内的电源良好比较器将触发状态机将
斜坡DCDC1和DCDC2提供的电源电压VCC_3V3和VCC_1V8 。现在厦华需要拉
其X_PWR_EN信号高驱动EN_DCDC3在PMU上。现在，这将使LDO1电源VDDPLL 。
基于DCDC1的20ms的延迟后的电压X_RESET_B将被释放的PMU上PGOOD引脚。
睡眠模式
在第一电源接通（启动从OFF状态）时，电压为VDD_PDN被增加的同时比
VDD_PRE 。这是通过位MASK_EN_DCDC3寄存器CON_CTRL2是“1”，每默认定义。为
启用休眠模式，厦华需要清除此位，所以EN_DCDC3针会控制在DCDC3
转换器。初步SLEEP模式厦华拉动其X_PWR_EN脚低，这是驱动初始化
EN_DCDC3针TPS6507x的。这将关闭电源VDDPLL （ LDO1 ） ，也为VDD_PDN （ DCDC3 ） 。
所有其它电压轨将留任。基于“按键”与PB_OUT变低，厦华会醒来
断言EN_DCDC3 = HIGH 。这将打开DCDC3和LDO1回和的Sirf PRIMA将进入正常工作
模式。
深度休眠模式
进入深度休眠模式，由厦华控制，通过写寄存器TPS6507x的CON_CTRL2 。前
进入深度休眠模式，厦华将备份所有的内存，并设置位DS_RDY = 1，表示该内存是
保存，并且内容是有效的。设置PWR_DS = 1将关闭所有的电压轨，除了DCDC2的记忆
电压和在PMU将通过拉动PGOOD =低电平施加一个复位信号。表面不能检测到逻辑电平变化
通过PB_OUT变低在深度休眠模式。从深度睡眠唤醒一个由PMU因此管理。
该PMU将清除位PWR_DS并重新打开基于用户的“按键”的时候PB_IN是转换器
被拉低。表面现在将检查是否DS_RDY = 1 ，以确定该存储器的内容仍然是有效的和明确的
该位之后。万一有一个功率损耗和对PMU的电压低时的欠电压低于
锁定阈值，在PMU中的寄存器被重新设置为缺省值和DS_RDY被清除。该PMU会
从深度休眠和的Sirf PRIMA执行开机自关断状态，而不是退出会读DS_RDY = 0 ，
其指示存储器中的数据是无效的。
见时序图的Sirf厦华的睡眠和深度睡眠
图53
和
图54 。
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