位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第546页 > LTC4070EMS8EPBF > LTC4070EMS8EPBF PDF资料 > LTC4070EMS8EPBF PDF资料1第11页
LTC4070
应用信息
点是通过查找曲线1热敏电阻器的R / T发现
值加
FIX
对应于为NTC的比率
TH1
= 36.5 ％ ， NTC
TH2
= 29.0 ％ ， NTC
TH3
= 22.8 ％ ，而NTC
TH4
= 17.8 ％ 。选择R
FIX
= 3.92k导致的跳变点
39.9 ℃， 49.4 ℃， 59.2 ℃， 69.6 ℃。
而不添加AD-可以使用的另一种技术
ditional组件。相反，减少
喃
调整
NTC
TH
阈值对于一个给定的R / T热敏电阻的配置文件。为
例如，若R
喃
= 88.7K （具有相同100k的曲线1
热敏电阻），那么温度触发点是41.0 ℃，
49.8 ℃， 58.5 ℃， 67.3 ℃。
当使用LTC4070的NTC特性是很重要的
要记住的是，最大旁路电流增大
作为浮充电压，V
FLOAT_EFF
滴用NTC调理。
回顾典型应用有一个12V的墙上适配器
在图1中;输入电阻R
IN
，应增加
到165Ω ，使得最大旁路电流不
超过50毫安在尽可能低的浮动电压由于
NTC空调，V
FLOAT_MIN
= 3.8V.
散热注意事项
在最大分路电流， LTC4070可消散了
为205mW 。封装的散热应该
当在最大旁路操作加以考虑
电流，以便不超过最大绝对junc-
该装置的灰温度。同
θ
JA
为40℃ / W，在
MSOP封装成50mA的最大电流分流
结温升高约8 ° C以上的环境。
同
Θ
JA
在DFN封装76 ℃/ W，在最大
为50mA电流分流器的结温上升
约16 ° C以上的环境。
操作与外部PFET ，以提高分流
当前
表2列出了建议的装置，以增加
最大旁路电流。由于低的要求
DRV的销节点上的电容，则建议
只有低栅极电荷和高门槛PFET器件是
使用。此外，建议谨慎的PCB布局是
用来保持泄漏在DRV销到最小的
I
DRV （ SINK ）
电流典型值为3μA 。
请参阅设备制造商的数据手册最大
连续的功耗和热电阻时，
选择一个外部PFET用于特定应用。
表2.推荐的外部PFET的分流
设备
FDN352AP
Si3467DV
Si3469DV
DMP2130LDM
DMP3015LSS
供应商
飞兆半导体
日前，Vishay
日前，Vishay
二极管公司
二极管公司
Q
GS
0.50nC
1.7nC
3.8nC
2.0nC
7.2nC
V
TH（分钟）
–0.8V
–1.0V
–1.0V
–0.6V
–1.0V
R
DS （ ON）
0.33
0.073
0.041
0.094
0.014
4070f
11
