RJK0329DPB
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G1638-0400
Rev.4.00
2008年4月10日
特点
高速开关
能够4.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 1.8 m
（典型值） 。 （在V
GS
= 10 V)
无铅
概要
瑞萨封装代码： PTZZ0005DA -A
（包名称： LFPAK ）
5
D
5
4
G
3
12
4
1, 2, 3
4
5
来源
门
漏
S S S
1 2 3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
3， TC = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
AP注2
E
AR注2
PCH
Note3
评级
30
±20
55
220
55
25
62.5
60
2.08
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
θch -C
总胆固醇
TSTG
REJ03G1638-0400 Rev.4.00 2008年4月10日
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