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初步数据表
16M位SDRAM
EDS1616CGTA （ 1M字
×
16比特）
特定网络阳离子
密度： 16M位
组织
512K字
×
16位
×
2银行
封装： 50引脚塑料TSOP （ II ）
无铅（符合RoHS）
电源： VDD ， VDDQ
=
2.5V
±
0.2V
时钟频率： 133MHz的（最大）
两个内部银行的并发操作
接口： LVTTL
脉冲串长度（BL） ： 1，2， 4，8，整页
突发类型（BT） ：
顺序（ 1，2， 4，8，全页）
交织（1， 2，4， 8）
/ CAS延迟（CL） ：2,3
预充电：对于每个突发自动预充电操作
ACCESS
刷新：自动刷新，自刷新
刷新周期： 2048次/ 32ms的
平均更新周期：值为15.6μs
工作环境温度范围
TA = 0°C至+ 70°C
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
50引脚塑料TSOP （ II ）
VDD
DQ0
DQ1
VSSQ
DQ2
DQ3
VDDQ
DQ4
DQ5
VSSQ
DQ6
DQ7
VDDQ
LDQM
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
VSS
DQ15
DQ14
VSSQ
DQ13
DQ12
VDDQ
DQ11
DQ10
VSSQ
DQ9
DQ8
VDDQ
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
EO
特点
单脉冲/ RAS
突发读/写操作和突发读/写单
操作能力
通过UDQM和LDQM控制字节
一号文件E0788E20 （版本2.0 ）
发布日期2005年12月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
L
od
Pr
A0到A10
BA
DQ0到DQ15
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
LDQM ， UDQM
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
（ TOP VIEW ）
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
输入/输出的掩码
时钟使能
时钟输入
电源内部电路
地上的内部电路
本产品成为了EOL 2007年3月。
Elpida
内存方面， 2005年公司
t
uc
电源电路DQ
地面DQ电路
无连接
