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SLWS211B - 2008年7月 - 修订2008年10月

时钟缓冲器

Lpkg

1 nH的

CLKP

Cbond

= 1 pF的

20

W

CEQ

RESR

~100

W

2 pF的

5千瓦

5千瓦

VCM

CEQ

Lpkg

1 nH的

CLKM

Cbond

= 1 pF的

20

W

RESR

~100

W

CEQ 1至3 PF，时钟缓冲器等效输入电容

图102.内部时钟缓冲器

单端CMOS时钟可以交流耦合到CLKP输入，具有CLKM接地用0.1 μF

电容器，如图

图104 。

为了获得最佳性能，时钟输入端必须采用差分驱动，

降低对共模噪声。用于高输入频率取样时，建议使用

时钟源具有低抖动。的时钟源带通滤波可以帮助减少抖动的效果。没有

改变的表现与非50％占空比的时钟输入。

0.1

m

F

CLKP

CMOS时钟输入

0.1

m

F

CLKP

差分正弦波

或PECL或LVDS时钟输入

0.1

m

F

CLKM

0.1

m

F

VCM

CLKM

S0167-10

S0168-14

图103差分时钟驱动电路

图104单端时钟驱动电路

2008 ，德州仪器

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