汕头华汕电子器件有限公司
PNP
硅
晶体管
对应½外型号
HIT5610
H5610
█ 主要用途
½音频放大。
█ 外½图及引脚排列
█ 极限值
（T
a
=25℃）
T
英镑
——贮存温度…………………………………
-55~150℃
T
j
——结温……………………………………………
150
℃
P
C
——集电极耗散功率…………………………………750mW
V
CB
——集电极—基极电压……………………………-25V
V
权证
——集电极—发射极电压…………………………-20V
V
E B
——发射极—基极电压……………………………-5V
I
C
— — 集电极 电 流 ……… … … ……… … … ……… … …-1
A
TO-92
1―发射极，E
2―集电极，C
3―基
极，B
█ 电参数
（T
a
=25℃）
参数符号
符
号
说
明
最小值
典型值
最大值
单½
测
试
条
件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
H
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
COB
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极电压
特征频率
共基极输出电容
-25
-20
-5
60
-0.2
-0.8
360
38
-1
240
-0.5
-1
V
V
V
μA
V
V
兆赫V
CE
= -2V ，我
C
=-500mA
pF
V
CB
=-10V,I
E
=0，f=1MHz
I
C
=-10μA，I
E
=0
I
C
=-1mA，I
B
=0
I
E
=-10μA，I
C
=0
V
CB
= -20V ，我
E
=0
V
CE
= -2V ，我
C
=-500mA
I
C
= 0.8A ，我
B
=-80mA
V
CE
= -2V ，我
C
=-500mA
█ 分档及其标志
A
B
85—170
C
120—240
60—120
首页
上一页
1
下一页
尾页
共1页
