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H5N2005DL , H5N2005DS
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
I
DR
注1
价值
200
±30
6
24
6
24
25
5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
I
DR (脉冲)
注2
PCH
θ
CH-C
总胆固醇
TSTG
注1
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
体漏二极管的反向恢复电荷
注意:
3.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS (关闭)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
Q
rr
200
3.0
2.0
典型值
0.52
3.4
300
44
12.5
9.8
2.0
5.2
23
24
43.5
11
1.0
90
400
最大
±0.1
1
4.5
0.65
1.5
单位
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
注3
I
D
= 3 A,V
GS
= 10 V
I
D
= 3 A,V
DS
= 10 V
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 160 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 6 A
I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 33.3
RG = 10
I
F
= 6 A,V
GS
= 0
I
F
= 6 A,V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
注3
Rev.2.00 2005年9月7日第2页4

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