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H5RS5223CFR
I / O和ODT值
驱动程序和终端阻抗都源于在最坏的情况下工艺角下测试条件：
1.标称1.8V （ VDD / VDDQ ）
2.电源的GDDR3设备和校准输出驱动器和终止，消除过程中的变化，在25 ℃ 。
3.降低温度至10 ℃重新校准。
4.降低温度至0 ℃ ，并采取快速的角落测量。
5，升温至75 ℃ ，并重新校准
6，升温至85 ℃ ，并采取了缓慢的角落测量
I / O阻抗
下拉特性，在40欧姆
电压（V）的
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
民
2.144
4.268
6.373
8.449
10.505
12.542
14.540
16.509
18.449
20.341
22.203
24.017
25.783
27.480
29.119
30.671
31.387
31.648
最大
3.366
6.516
9.454
12.185
14.715
17.051
19.400
21.828
24.219
26.580
28.913
31.222
33.508
35.813
38.213
40.551
42.900
45.176
拉伸特性，在40ohms
电压（V）的
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
民
-2.377
-4.705
-6.984
-9.283
-11.524
-13.803
-16.015
-18.285
-20.302
-22.223
-24.066
-25.773
-27.344
-28.683
-29.731
-30.691
-31.544
-32.311
最大
-2.946
-5.829
-8.644
-11.383
-14.038
-16.599
-19.051
-21.630
-24.143
-26.605
-29.005
-31.353
-33.619
-35.803
-37.883
-39.882
-42.003
-44.063
Rev.1.5 / 2008年7月
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