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H5RS5223CFR
表19 ：电气特性和交流工作条件
注： 1-5,14-16,33,40 ;便签pages52 ， 53 ; 0 ℃ < = < TC = 85 ℃
AC特性参数
参数
从CK DQS进出时间
CK高电平宽度
CK低电平宽度
时钟周期时间
CL=9
CL=7
符号
tDQSCK
总胆固醇
TCL
TCK
TCK
TWL
TDH
TDS
TATS
tATH
tDQSH
tDQSL
TDQSQ
tDQSS
TDSS
tDSH
民
-0.35
0.45
0.45
-
1.8
1,2,3,4,
5,6
0.25
0.25
10
10
0.48
0.48
-0.225
WL-0.2
0.25
0.25
TCL MIN
or
总胆固醇分钟
THP-
0.225
0.3
0.3
0.5
0.5
1.3
4
0.52
0.52
+0.225
WL+0.2
-18C
最大
+0.35
0.55
0.55
-
3.3
-14(L)
民
-0.26
0.45
0.45
1.4
-
1,2,3,4,
5,6
0.18
0.18
10
10
0.48
0.48
-0.160
WL-0.2
0.25
0.25
TCL MIN
or
总胆固醇分钟
tHP-0.16
0.3
0.3
0.35
0.35
1.0
6
0.52
0.52
+0.160
WL+0.2
最大
+0.26
0.55
0.55
3.3
-
民
-0.35
0.45
0.45
-
1.8
1,2,3,4,
5,6
0.25
0.25
10
10
0.48
0.48
-0.225
WL-0.2
0.25
0.25
TCL MIN
or
总胆固醇分钟
THP-
0.225
0.3
0.3
0.5
0.5
1.3
4
0.52
0.52
+0.225
WL+0.2
-20C
最大
+0.35
0.55
0.55
-
3.3
单位
TCK
TCK
TCK
ns
ns
TCK
ns
ns
ns
ns
TCK
TCK
ns
TCK
TCK
TCK
记
30
30
33, 40, 48
33, 40, 48
43
26, 31
26, 31
写入延迟
DQ & DM与输入保持时间
的DQ
DQ & DM相对于输入建立时间
的DQ
有源终端建立时间
有源终端保持时间
DQS输入高电平脉冲宽度
DQS输入低脉冲宽度
DQS -DQ歪斜
写命令首先锁定DQS
过渡
DQS下降沿到CK上升。格局
时间
DQS下降沿从CK上升。持有
时间
半频闪期
25, 26
THP
TCK
34
从DQS数据输出保持时间
从数据输出高阻抗窗口
CK / CK ＃
数据输出低阻抗窗口
fromCK / CK ＃
地址和控制输入保持时间
地址和控制输入建立时间
地址和控制输入脉冲宽度
加载模式寄存器命令周期
时间
tQH
太赫兹
TLZ
TIH
TIS
tIPW
超过tMRD
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TCK
44
18
18
14
14
Rev.1.5 / 2008年7月
49
