三菱N沟道功率MOSFET
FK10UM-9
高速开关使用
输出特性
（典型值）
V
GS
= 20V
10V
7V
输出特性
（典型值）
V
GS
=20V 10V 6V
P
D
= 125W
20
10
6V
漏电流I
D
(A)
8
漏电流I
D
(A)
16
T
C
= 25°C
脉冲测试
5V
P
D
=
125W
4V
0
0
10
20
30
40
50
5V
6
T
C
= 25°C
脉冲测试
12
8
4
4
2
4V
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
导通电压VS.
栅源电压
（典型值）
40
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS （ ON）
(V)
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS （ ON）
()
T
C
= 25°C
脉冲测试
32
2.0
通态电阻VS.
漏电流
（典型值）
T
C
= 25°C
脉冲测试
1.6
V
GS
= 10V
1.2
20V
24
I
D
= 15A
16
10A
8
5A
0
0
4
8
12
16
20
0.8
0.4
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
漏电流I
D
(A)
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
（典型值）
20
T
C
= 25°C
V
DS
= 50V
脉冲测试
10
1
7
5
正向传递
导纳
y
fs
(S)
3
2
10
0
7
5
3
2
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
（典型值）
V
DS
= 10V
脉冲测试
T
C
=25°C
漏电流I
D
(A)
16
75°C
125°C
12
8
4
0
0
4
8
12
16
20
10
–1 –1
10
2 3
5 7 10
0
2 3
5 7 10
1
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Feb.1999
