位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第690页 > BD8312HFN-TR > BD8312HFN-TR PDF资料 > BD8312HFN-TR PDF资料1第5页
BD8312HFN
参考
数据
（除非
另有规定，TA = 25 ℃ ， VCC = 7.4 V）
1.02
1.02
技术说明
5.3
5.2
1.01
1.01
VREG电压[V]的
INV阈值[V ]
INV阈值[V ]
5.1
1.00
1.00
5.0
4.9
0.99
0.99
4.8
0.98
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
温度[ ℃ ]
0.98
0
2
4
6
8
10
12
14
4.7
-40
0
40
80
120
VCC [V]的
温度[ ℃ ]
如图3所示。 INV
临界温度特性
图4 。 INV
门槛电源财产
1.7
图5 。 VREG输出
温度特性
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
1.7
1.6
1.6
1.5
1.4
1.3
频率〔MHz〕
频率〔MHz〕
Vreg的[V]的
1.5
1.4
1.3
-40
0
40
80
120
3
6
9
12
15
VCC [V]的
温度[ ℃ ]
VCC [V]的
图6 。 VREG
输出电源财产
500
图7 。 FOSC
温度特性
600
图8 。 FOSC
电压特性
3.50
滞后幅度
UVLO电压版
0.25
ID=500mA
500
ID=500mA
滞后电压
VHYS [V]的
ヒステリシス電圧
VHYS [V]的
3.30
0.20
400
导通电阻[ mΩ的]
3.10
0.15
300
2.90
0.10
UVLO检测电压
2.70
0.05
200
导通电阻[ mΩ的]
400
300
200
100
2.50
-40
0
40
80
0.00
120
100
-40
0
40
80
120
0
3
6
9
12
15
北部沿海地区[ ℃ ]
VCC [V]的
环境温度Ta [° C]
環境温度
TA [
℃
]
图9 。 UVLO
临界温度特性
图10 。 N沟道FET导通电阻
温度特性
图11 。 N沟道FET导通电阻
电源特性
www.rohm.com
2010 ROHM有限公司保留所有权利。
5/14
2010.06- Rev.C
