IRF9Z14S ， SiHF9Z14S ， IRF9Z14L ， SiHF9Z14L
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
峰值二极管恢复
dv / dt的
C，E
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= - 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 3.6 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 6.7 A（见图12 ）。
C.我
SD
≤
- 6.7 A， di / dt的
≤
90 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
。使用IRF9Z14 / SiHF9Z14数据和试验条件。
符号
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
- 4.5
- 55 + 175
300
d
单位
V / ns的
°C
热电阻额定值
参数
最大结到环境（PCB
安装，稳态）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
40
3.5
单位
° C / W
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
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2
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
参考至25℃ ，我
D
= - 1毫安
c
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 4.0 A
b
V
DS
= - 25 V，I
D
= - 4.0 A
c
- 60
-
- 2.0
-
-
-
-
1.4
-
- 0.06
-
-
-
-
-
-
-
-
- 4.0
± 100
- 100
- 500
0.5
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= - 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
c
-
-
-
-
270
170
31
-
-
-
11
63
10
31
7.5
-
-
-
12
3.8
5.1
-
-
-
-
-
nH
ns
nC
pF
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 6.7 A，V
DS
= - 48 V,
参见图。 6和13
B，C
-
-
-
V
DD
= - 30 V，I
D
= - 6.7 A,
R
G
= 24
Ω,
R
D
= 4.0
Ω,
参见图。 10
b
铅，模具联络中心之间
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- 6.7
A
- 27
- 5.5
V
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= - 6.7 A，V
GS
= 0 V
b
文档编号： 91089
S-挂起-REV 。 A， 02军， 08
