IRF9Z14S ， SiHF9Z14S ， IRF9Z14L ， SiHF9Z14L
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= - 10 V
12
3.8
5.1
单身
- 60
0.50
特点
先进的工艺技术
表面贴装（ IRF9Z14S / SiHF9Z14S ）
低ProfileThrough洞（ IRF9Z14L / SiHF9Z14L ）
175 ° C的工作温度
快速开关
P沟道
全额定雪崩
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
I
2
PAK （ TO- 262 ）
D
2
PAK （ TO-263 ）
S
G
G
D
S
D
P沟道MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET采用
先进的加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计，
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以一种极其有效的和可靠的装置，用于在一个使用
各种各样的应用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
容纳芯片尺寸最多HEX - 4 。它提供了最高
功率能力和尽可能低的导通电阻
任何现有的表面贴装封装。对D
2
朴适用
对于大电流应用，因为是低内部
连接性和可耗散高达2.0 W的一
典型的表面贴装应用。
通孔版（ IRF9Z14L / SiHF9Z14L ）是
适用于薄型应用。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF9Z14SPbF
SiHF9Z14S-E3
IRF9Z14S
SiHF9Z14S
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF9Z14STRLPbF
a
SiHF9Z14STL-E3
a
IRF9Z14STRL
a
SiHF9Z14STL
a
I
2
PAK （ TO- 262 ）
IRF9Z14LPbF
SiHF9Z14L-E3
-
-
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
e
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
B，E
雪崩电流
a
Repetiitive雪崩能量
a
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
当前
A，E
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
极限
- 60
± 20
- 6.7
- 4.7
- 27
0.29
140
- 6.7
4.3
3.7
43
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91089
S-挂起-REV 。 A， 02军， 08
WORK -IN -PROGRESS
www.vishay.com
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