EFST
读取模式
从输出读阵列数据，系统必须
驱动
CE
和
OE
引脚V
IL
.
CE
是电源
控制和选择器件。
OE
是输出控制
与门阵列的数据输出管脚。
WE
应
保持在V
IH
。内部状态机设置为
在器件上电时读取阵列数据，或之后
硬件复位。这将确保没有虚假变更
存储内容的电源期间发生
过渡。
没有命令，必须在此模式下，获得数组
数据。标准微处理器的读周期的断言
该器件地址输入产生的有效地址
上的设备的数据输出有效数据。该装置
保持启用，直到命令读取访问
寄存器的内容被改变。
请参阅“阅读命令”一节以获取更多信息。
请参阅AC读操作表9对时间
规格和图5的时序图。我
CC1
在DC特性表8代表活动
目前规范阵列读取数据。
F49L040A
自动休眠模式
自动睡眠模式，最大限度地降低闪存器件
能量消耗。该设备将自动启用
当地址保持不变，在这种模式下
为250ns 。自动睡眠模式是独立的
CE
,
WE
和
OE
控制信号。标准地址
时序进入时提供的地址是新数据
改变了。而在睡眠模式下，输出数据被锁存
并始终可用的系统。我
CC4
在直流
特性表8表示自动休眠
模式电流规范。
输出禁止模式
与
OE
处于逻辑高电平（V
IH
） ，从输出端
该设备被禁用。这将导致输出管脚
在高阻抗状态
待机模式
当
CE
在V举行
CC
± 0.3V ，输入设备
CMOS待机模式。如果
CE
在V举行
IH
但内
Ⅴ的范围
CC
± 0.3V ，该设备仍然会在
待机模式中，但是待机电流会较大。
如果设备的自动算法过程中取消选择
擦除或编程时，设备将活跃
电流I
CC2
直到操作完成。我
CC3
in
直流特性表8表示待机
目前的规范。
该设备需要接入标准时间（t
CE
）的
在这两种待机模式下的读取访问权限，
它是前准备读取数据。
写模式
写一个命令或命令序列（其
包括编程数据到设备和擦除
的存储器扇区）时，系统必须驱动
WE
和
CE
到V
IL
和
OE
到V
IH
。在“程序指令”一节
对编程数据的详细信息到设备使用
标准的命令序列。
擦除操作可以擦除一个扇区，多个部门，
或整个设备。表1表示的地址空间
每个部门占用。 A“扇区地址”由
所需的地址位来唯一地选择一个扇区。该
“软件定义的命令”一节有详细
擦除扇区或整个芯片，或暂停/恢复
擦除操作。
当系统写入自动选择命令
序，器件进入自动选择模式。该
然后，系统可以从内部读取自动选择码
寄存器（它是分开的存储器阵列）上
DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序适用于本
模式。请参阅自动选择模式，并自动选择
命令部分以获取更多信息。我
CC2
在直流
特性表8表示的有功电流
规格为写入模式。在“AC特性”
部分包含时序规格表10和时机
图写操作。
部门保护/取消保护模式
硬件部门保护功能禁用这两个
程序在任何扇区擦除操作。该
硬件部门撤消功能重新启用两个
在以前受保护的程序和擦除操作
部门。部门保护/撤消可以实现
通过编程设备A6引脚。
精英闪存存储技术公司
出版日期： 2005年4月
修订： 1.0
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